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FDS4780

更新时间： 2024-11-12 22:15:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 334K
描述
40V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS4780 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.8 A最大漏极电流 (ID)：10.8 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4780 数据手册

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March 2003  
FDS4780  
40V N-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 10 V  
• Low gate charge (30 nC)  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability  
• DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D  
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain-Source Voltage  
40  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
± 20  
10.8  
45  
ID  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
1.4  
1.2  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4780  
FDS4780  
13’’  
11mm  
2500 units  
FDS4780 Rev B (W)  
2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS4780 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SQ4840EY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Trans MOSFET N-CH 40V 20.7A 8-Pin SOIC N T/R
FDS4672A FAIRCHILD

类似代替

 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4672A ONSEMI

功能相似

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，11A，13mΩ

与FDS4780相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4885C FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Chan
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 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V
FDS4897C FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4897C ONSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4935A ONSEMI

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 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ

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