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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS4897AC
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FDS4897AC

更新时间： 2024-02-14 11:12:04
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 413K
描述
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 40 V, 6.1 A, 26 mΩ P-Channel: -40 V, -5.2 A, 39 mΩ

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FDS4897AC 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.97
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4897AC 数据手册

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October 2008  
FDS4897AC  
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET  
N-Channel: 40 V, 6.1 A, 26 mΩ P-Channel: -40 V, -5.2 A, 39 mΩ  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
These dual N- and P-Channel MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process  
that has been especially tailored to minimize on-state resistance  
and yet maintain superior switching performance.  
„ Max rDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.1 A  
„ Max rDS(on) = 31 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.6 A  
Q2: P-Channel  
„ Max rDS(on) = 39 mΩ at VGS = -10 V, ID = -5.2 A  
Applications  
„ Inverter  
„ Max rDS(on) = 65 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -4.1 A  
„ 100% UIL Tested  
„ Power Supplies  
„ RoHS Compliant  
D2  
Q2  
D2  
G2  
S2  
D2  
D2  
5
6
4
3
2
1
D1  
D1  
Q1  
G2  
G1  
S1  
D1  
D1  
7
8
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
SO-8  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
40  
Q2  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-40  
±20  
-5.2  
-24  
V
V
±20  
6.1  
24  
ID  
A
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
1.6  
0.9  
PD  
TA = 25 °C (Note 1a)  
TA = 25 °C (Note 1b)  
(Note 3)  
W
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
37  
73  
mJ  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case,  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,  
(Note 1)  
40  
78  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDS4897AC  
FDS4897AC  
SO-8  
13 ”  
2500 units  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4897AC Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
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FDS4897AC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4410 FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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