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NTMD4840NR2G

更新时间： 2024-11-20 10:30:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8

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NTMD4840NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.53配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.95 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMD4840NR2G 数据手册

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NTMD4840N  
Power MOSFET  
30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Dual SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Space  
• This is a Pb−Free Device  
http://onsemi.com  
V
R
Max  
DS(on)  
I
Max  
(BR)DSS  
D
24 mW @ 10 V  
36 mW @ 4.5 V  
30 V  
7.5 A  
Applications  
• Disk Drives  
• DC−DC Converters  
• Printers  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
DSS  
V
GS  
20  
V
I
D
A
G
T = 25°C  
5.5  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
4.4  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
1.14  
W
A
A
D
R
S
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
I
D
T = 25°C  
A
4.5  
3.5  
q
JA  
T = 70°C  
A
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.68  
W
A
D
R
q
JA  
D1 D1 D2 D2  
8
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
7.5  
6.0  
D
Current R  
(Note 1)  
t < 10 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
4840N  
AYWW  
G
SOIC−8  
CASE 751  
STYLE 11  
8
Power Dissipation  
t < 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
D
1.95  
W
A
1
R
q
JA  
1
Pulsed Drain Current  
T = 25°C,  
t = 10 ms  
I
30  
A
p
DM  
S1 G1 S2 G2  
4840N = Device Code  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
STG  
A
= Assembly Location  
+150  
Y
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.0  
28  
A
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
mJ  
Energy T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 7.5 A , L = 1.0 mH, R = 25 W  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
110  
64  
Unit  
NTMD4840NR2G  
SOIC−8  
(Pb−Free)  
2500/Tape & Reel  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t≤10 s (Note 1)  
Junction−to−FOOT (Drain)  
R
q
JA  
R
q
JA  
°C/W  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
R
40  
q
JF  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
R
183.5  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 inch sq pad size, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
September, 2009 − Rev. 1  
NTMD4840N/D  
 
12345

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NTMD4840NR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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