5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTMD4840NR2G
NTMD4840NR2G PDF预览

NTMD4840NR2G

更新时间： 2024-02-13 21:16:32
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTMD4840NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.37配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMD4840NR2G 数据手册

 浏览型号NTMD4840NR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTMD4840NR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTMD4840NR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTMD4840NR2G的Datasheet PDF文件第5页 
NTMD4840N  
Power MOSFET  
30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Dual SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Space  
• This is a Pb−Free Device  
http://onsemi.com  
V
R
Max  
DS(on)  
I
Max  
(BR)DSS  
D
24 mW @ 10 V  
36 mW @ 4.5 V  
30 V  
7.5 A  
Applications  
• Disk Drives  
• DC−DC Converters  
• Printers  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
V
DSS  
V
GS  
20  
V
I
D
A
G
T = 25°C  
5.5  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
4.4  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
1.14  
W
A
A
D
R
S
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
I
D
T = 25°C  
A
4.5  
3.5  
q
JA  
T = 70°C  
A
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.68  
W
A
D
R
q
JA  
D1 D1 D2 D2  
8
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
7.5  
6.0  
D
Current R  
(Note 1)  
t < 10 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
4840N  
AYWW  
G
SOIC−8  
CASE 751  
STYLE 11  
8
Power Dissipation  
t < 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
D
1.95  
W
A
1
R
q
JA  
1
Pulsed Drain Current  
T = 25°C,  
t = 10 ms  
I
30  
A
p
DM  
S1 G1 S2 G2  
4840N = Device Code  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
STG  
A
= Assembly Location  
+150  
Y
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.0  
28  
A
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
EAS  
mJ  
Energy T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I = 7.5 A , L = 1.0 mH, R = 25 W  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
110  
64  
Unit  
NTMD4840NR2G  
SOIC−8  
(Pb−Free)  
2500/Tape & Reel  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t≤10 s (Note 1)  
Junction−to−FOOT (Drain)  
R
q
JA  
R
q
JA  
°C/W  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
R
40  
q
JF  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
R
183.5  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 inch sq pad size, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
September, 2009 − Rev. 1  
NTMD4840N/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NTMD4840NR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6690AS ONSEMI

类似代替

 N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，10A，12mΩ
NTMS4935NR2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8
NTMS4920NR2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8

与NTMD4840NR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMD4884NF ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode
NTMD4884NFR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET and Schottky Diode
NTMD4N03 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 4 A, 30 V, N−Channel SO−8 Du
NTMD4N03R2 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual
NTMD4N03R2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 4 A, 30 V, N−Channel SO−8 Du
NTMD5836NL ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, Dual N?Channel, SOIC?8 Optimized Gate Charge
NTMD5836NLR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, Dual N?Channel, SOIC?8 Optimized Gate Charge
NTMD5838NL ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge
NTMD5838NLR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge
NTMD6601NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8

与NTMD4840NR2G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证