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NTMD6601NR2G

更新时间： 2024-09-26 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
Power MOSFET 80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8

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NTMD6601NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, CASE 751-07, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.35配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：30 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMD6601NR2G 数据手册

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NTMD6601NR2G  
Power MOSFET  
80 V, 2.2 A, Dual N-Channel, SO-8  
Features  
•ꢀLow R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
•ꢀLow Capacitance to Minimize Driver Losses  
•ꢀOptimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
•ꢀDual SO-8 Surface Mount Package Saves Board Space  
•ꢀThis is a Pb-Free Device  
http://onsemi.com  
V
R
Max  
DS(on)  
I
D
Max  
(BR)DSS  
215 mW @ 10 V  
245 mW @ 4.5 V  
80 V  
2.2 A  
Applications  
•ꢀLCD Displays  
N-Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D
Rating  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
V
DSS  
Gate-to-Source Voltage - Continuous  
V
GS  
15  
V
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T = 25°C  
I
1.4  
1.2  
1.0  
A
A
D
q
JA  
T = 70°C  
A
G
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
D
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
I
D
1.1  
0.9  
0.6  
S
Steady  
State  
q
JA  
T = 70°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
2.2  
1.7  
9.0  
D
D1 D1 D2 D2  
8
t < 5 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
6601N  
AYWW  
SO-8  
CASE 751  
STYLE 11  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C,  
A
t = 10 ms  
I
A
DM  
8
p
G
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
-55 to  
+150  
°C  
STG  
1
S1 G1 S2 G2  
Source Current (Body Diode)  
I
1.3  
2 5  
A
S
6601N = Device Code  
A
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
Energy T = 25C, V = 50 V, V = 10 V,  
EAS  
mJ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
J
DD  
GS  
I = 7.0 A , L = 1.0 mH, R = 25 W  
Y
L
pk  
G
WW  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
= Pb-Free Package  
L
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
120  
48  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Junction-to-Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction-to-Ambient – t≤ 5 s (Note 1)  
Junction-to-FOOT (Drain)  
R
R
q
q
JA  
JA  
NTMD6601NR2G  
SO-8  
(Pb-Free)  
2500/Tape & Reel  
°C/W  
R
40  
q
JF  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction-to-Ambient – Steady State (Note 2)  
R
200  
q
JA  
1. Surface-mounted on 2 inch sq FR4 board using 1 inch sq pad size, 1 oz Cu.  
2. Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
February, 2008 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NTMD6601N/D  
 
123456

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