是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.69 | 雪崩能效等级(Eas): | 325 mJ |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.032 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NVMD6N03R2G | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 |
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NTMD6N03R2 | ONSEMI |
类似代替 ![]() |
Power MOSFET |
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IRF7313TRPBF | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Generation V Technology |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTMD6N04R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 |
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NTMD6N04R2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 |
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NTMD6P02 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, |
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NTMD6P02R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual |
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NTMD6P02R2/D | ETC |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts |
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NTMD6P02R2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, |
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NTMD6P02R2SG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, |
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NT-MF161 | OMRON |
获取价格 |
Programmable Terminals |
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NTMFC013NP10M5L | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, |
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NTMFD001N03P9 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 Mosfet 30V POWERTRENCH® Power Clip |
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