5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTMS4935NR2G
NTMS4935NR2G PDF预览

NTMS4935NR2G

更新时间： 2024-09-26 05:54:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 133K
描述
Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTMS4935NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 751-07, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.41
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTMS4935NR2G 数据手册

 浏览型号NTMS4935NR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTMS4935NR2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTMS4935NR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTMS4935NR2G的Datasheet PDF文件第5页 
NTMS4935N  
Power MOSFET  
30 V, 16 A, N−Channel, SO−8  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
• DC−DC Converters  
• Points of Loads  
• Power Load Switch  
• Motor Controls  
5.1 mW @ 10 V  
7.0 mW @ 4.5 V  
30 V  
16 A  
N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
Steady  
State  
I
D
T = 25°C  
13  
A
G
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
10.4  
1.38  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
W
A
q
D
JA  
JA  
S
Continuous Drain  
Steady  
State  
I
D
T = 25°C  
A
10  
8.0  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
Current R  
(Note 2)  
q
JA  
T = 70°C  
A
1
8
Power Dissipation R  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.81  
W
A
q
D
Source  
Source  
Source  
Gate  
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
1
SO−8  
CASE 751  
STYLE 12  
Continuous Drain  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
16  
12.7  
2.1  
D
Current R , t v 10 s  
q
JA  
T = 70°C  
A
(Note 1)  
Top View  
Power Dissipation  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
D
W
R
q
, t v 10 s(Note 1)  
4935N = Device Code  
JA  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
126  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
WW  
G
T
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.1  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
128  
mJ  
(T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
ORDERING INFORMATION  
I = 16 A , L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
†
Device  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
NTMS4935NR2G  
SO−8  
(Pb−Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Parameter  
Symbol Value Unit  
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t v 10 s (Note 1)  
Junction−to−Foot (Drain)  
R
R
91.9  
60.4  
21.6  
154  
q
q
JA  
JA  
R
R
q
JF  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surfacemounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces).  
2. Surfacemounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
September, 2009 − Rev. 0  
NTMS4935N/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NTMS4935NR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMS7N03R2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts
NTMD4840NR2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N−Channel, SOIC−8
NTMS4920NR2G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8

与NTMS4935NR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMS4937N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Power MOSFET
NTMS4937NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Power MOSFET
NTMS4939N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 12.5 A, N−Channel, SO−8
NTMS4939NR2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 12.5 A, N−Channel, SO−8
NTMS4N01R2 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 P
NTMS4N01R2/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET 4.2 Amps， 20 Volts
NTMS4N01R2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 P
NTMS4P01R2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 2.32A I(D) | SO
NTMS4P01R2/D ETC

获取价格

 		Power MOSFET -4.5 Amps， -12 Volts
NTMS4P01R2G ONSEMI

获取价格

 		3400mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 751-07, SO-8

与NTMS4935NR2G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证