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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTMD6N02R2
NTMD6N02R2 PDF预览

NTMD6N02R2

更新时间： 2024-01-19 18:39:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts

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NTMD6N02R2 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：LEAD FREE, CASE 751-07, SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：360 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.92 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMD6N02R2 数据手册

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NTMD6N02R2  
Power MOSFET  
6.0 Amps, 20 Volts  
N−Channel Enhancement Mode  
Dual SO−8 Package  
Features  
http://onsemi.com  
• Ultra Low R  
DS(on)  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Logic Level Gate Drive  
V
DSS  
R
TYP  
I MAX  
D
DS(ON)  
• Miniature Dual SO−8 Surface Mount Package  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Avalanche Energy Specified  
20 V  
35 mΩ @ V = 4.5 V  
6.0 A  
GS  
• SO−8 Mounting Information Provided  
N−Channel  
Applications  
• DC−DC Converters  
D
• Low Voltage Motor Control  
• Power Management in Portable and Battery−Powered Products, for  
example, Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and  
PCMCIA Cards  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
S
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
V
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
8
Drain−to−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
20  
V
GS  
1
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
"12  
V
SO−8  
CASE 751  
STYLE 11  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
R
P
I
I
62.5  
2.0  
6.5  
5.5  
50  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
A
D
A
D
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
A
D
I
DM  
1
2
3
4
8
7
6
5
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
Source 1  
Drain 1  
Drain 1  
Drain 2  
Drain 2  
R
P
I
102  
1.22  
5.07  
4.07  
40  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
Gate 1  
Source 2  
Gate 2  
E6N02  
LYWW  
A
D
A
D
I
A
D
I
DM  
(Top View)  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 3)  
R
P
I
I
172  
0.73  
3.92  
3.14  
30  
°C/W  
W
A
A
A
θ
JA  
E6N02 = Device Code  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
A
D
L
= Assembly Location  
Continuous Drain Current @ T = 25°C  
Continuous Drain Current @ T = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
A
D
Y
= Year  
A
D
WW  
= Work Week  
I
DM  
1. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board  
(1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″ thick single sided), t < 10 seconds.  
2. Mounted onto a 2″ square FR−4 Board  
ORDERING INFORMATION  
(1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″ thick single sided), t = steady state.  
3. Minimum FR−4 or G−10 PCB, t = steady state.  
4. Pulse Test: Pulse Width = 10 ms, Duty Cycle = 2%.  
†
Device  
NTMD6N02R2  
Package  
Shipping  
SO−8  
2500/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2004 − Rev. 2  
NTMD6N02R2/D  
 
123456

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NTMD6N02R2 替代型号

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