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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTMD5838NLR2G
NTMD5838NLR2G PDF预览

NTMD5838NLR2G

更新时间： 2024-09-26 10:30:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 106K
描述
Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge

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NTMD5838NLR2G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：52 weeks
风险等级：1.51Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：226832
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：SOIC-8 NB CAST 751-07
Samacsys Released Date：2015-08-31 08:48:03Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.9 A
最大漏极电流 (ID)：7.4 A最大漏源导通电阻：0.0308 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMD5838NLR2G 数据手册

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NTMD5838NL  
Power MOSFET  
40 V, 8.9 A, 25 mW, Dual N−Channel SO−8  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• Low Capacitance  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
25 mW @ 10 V  
J
40 V  
8.9 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
30.8 mW @ 4.5 V  
V
DSS  
V
GS  
20  
V
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
I
7.4  
5.9  
2.1  
1.3  
8.9  
7.1  
3.0  
1.9  
35  
A
D
D
A
D
q
JA  
T = 70°C  
A
(Note 1)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
A
D
D
R
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
G
G
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
q
JA  
S
S
T = 70°C  
A
(Note 1)  
t ≤10 s  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
R
(Note 1)  
q
JA  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
T = 70°C  
A
Pulsed Drain  
Current  
t = 10 ms  
I
A
p
DM  
D1 D1 D2 D2  
8
SO−8  
CASE 751  
STYLE 11  
D5838N  
AYWW  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
STG  
+150  
G
Source Current (Body Diode)  
I
S
7.0  
20  
A
mJ  
A
1
S1 G1 S2 G2  
(Top View)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.1 mH)  
EAS  
IAS  
21  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
†
Device  
NTMD5838NLR2G  
Package  
Shipping  
Junction−to−Ambient Steady State  
R
58  
q
JA  
(Notes 1 & 3)  
SO−8  
(Pb−Free)  
2500/Tape & Reel  
°C/W  
Junction−to−Ambient − t ≤10 s (Note 1)  
R
R
40  
q
q
JA  
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction−to−Ambient Steady State (Note 2)  
106  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces).  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using 0.155 in sq (100mm ) pad size.  
3. Both channels receive equivalent power dissipation  
1 W applied on each channel: T = 2 W * 58°C/W + 25°C = 141°C  
J
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
April, 2011 − Rev. 0  
NTMD5838NL/D  
 
123456

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NTMD5838NLR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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