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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTMD4N03R2
NTMD4N03R2 PDF预览

NTMD4N03R2

更新时间： 2024-09-26 10:30:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 78K
描述
Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N−Channel SO−8 Dual

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NTMD4N03R2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.19
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1272443Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC-8 NB CASE 751-07 ISSUE AKSamacsys Released Date：2018-06-10 19:01:17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMD4N03R2 数据手册

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NTMD4N03R2  
Power MOSFET  
4 Amps, 30 Volts  
N−Channel SO−8 Dual  
Features  
• Designed for use in low voltage, high speed switching applications  
http://onsemi.com  
• Ultra Low On−Resistance Provides  
Higher Efficiency and Extends Battery Life  
V
R
TYP  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
− R  
− R  
= 0.048 W, V = 10 V (Typ)  
DS(on)  
DS(on)  
GS  
30 V  
48 mΩ @ V = 10 V  
4.0 A  
= 0.065 W, V = 4.5 V (Typ)  
GS  
GS  
• Miniature SO−8 Surface Mount Package − Saves Board Space  
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery  
N−Channel  
D
D
Applications  
• Dc−Dc Converters  
• Computers  
• Printers  
G
G
• Cellular and Cordless Phones  
• Disk Drives and Tape Drives  
S
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
8
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
V
30  
Volts  
Volts  
DSS  
SO−8  
CASE 751  
STYLE 11  
V
"20  
GS  
− Continuous @ T = 25°C  
I
D
4.0  
12  
Adc  
Apk  
A
− Single Pulse (tp ≤ 10 ms)  
I
DM  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
Total Power Dissipation  
P
D
2.0  
Watts  
@ T = 25°C (Note 1)  
A
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
1
2
8
7
J
stg  
Source−1  
Drain−1  
Drain−1  
Drain−2  
Drain−2  
Gate−1  
Source−2  
Gate−2  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
80  
mJ  
3
4
6
5
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
Peak I = 4.45 Apk, L = 8 mH,  
L
(Top View)  
R
= 25 Ω)  
G
Thermal Resistance  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
62.5  
260  
°C/W  
°C  
E4N03 = Device Code  
q
JA  
L
Y
= Assembly Location  
= Year  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes for 10 seconds  
T
L
WW  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size, t ≤ 10 s  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTMD4N03R2  
SO−8  
2500/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
May, 2004 − Rev. 1  
NTMD4N03R2/D  
 
12345678

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NTMD4N03R2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4935A ONSEMI

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