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FDS4685

更新时间： 2024-01-13 12:21:17
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 506K
描述
40V P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS4685 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.2 A最大漏极电流 (ID)：8.2 A
最大漏源导通电阻：0.027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4685 数据手册

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June 2005  
FDS4685  
40V P-Channel PowerTrench® MOSFET  
Features  
Applications  
■ –8.2 A, –40 V R  
= 0.027 Ω @ V = –10 V  
■ Power management  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
R
= 0.035 Ω @ V = –4.5 V  
GS  
■ Load switch  
■ Fast switching speed  
■ Battery protection  
■ High performance trench technology for extremely low  
R
General Description  
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been  
optimized for power management applications requiring a wide  
range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
Pin 1  
S
Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
–40  
20  
V
V
A
DSS  
V
GSS  
I
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
–8.2  
D
–50  
P
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
W
D
1.4  
1.2  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
θJA  
θJA  
θJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4685  
FDS4685  
13”  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4685 Rev. C(W)  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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FDS4685 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4685 ONSEMI

功能相似

 40V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-8.2A，27mΩ
SI4401DY-T1-E3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 8700 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET G
AO4485 AOS

功能相似

 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与FDS4685相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4685-NF074 FAIRCHILD

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 		Transistor
FDS4685-NF074 ONSEMI

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 		40V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-8.2A，27mΩ
FDS4770 FAIRCHILD

获取价格

 		40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4770_04 FAIRCHILD

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 		40V N-Channel PowerTrench?MOSFET
FDS4770_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS4780 FAIRCHILD

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 		40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4885C FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4895C FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4897AC FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Chan
FDS4897AC ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V

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