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FDS4685-NF074

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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描述
Transistor

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FDS4685-NF074 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

FDS4685-NF074 数据手册

June 2005

FDS4685

40V P-Channel PowerTrench^®MOSFET

Features

Applications

■ –8.2 A, –40 V R

= 0.027 Ω @ V = –10 V

■ Power management

DS(ON)

= 0.035 Ω @ V = –4.5 V

■ Load switch

■ Fast switching speed

■ Battery protection

■ High performance trench technology for extremely low

General Description

DS(ON)

■ High power and current handling capability

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild

Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been

optimized for power management applications requiring a wide

range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–40

DSS

GSS

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

–8.2

–50

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

2.5

1.4

1.2

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

STG

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

125

°C/W

θJA

θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4685

13”

12mm

2500 units

FDS4685 Rev. C(W)

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

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