是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SO-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.35 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS4675D84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FDS4675-F085 | ONSEMI |
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P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V,-11A,13mΩ |
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FDS4675L86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FDS4675L99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FDS4675S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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FDS4685 | ONSEMI |
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40V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-8.2A,27mΩ |
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FDS4685 | FAIRCHILD |
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40V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDS4685-NF074 | FAIRCHILD |
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Transistor |
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FDS4685-NF074 | ONSEMI |
获取价格 |
40V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-8.2A,27mΩ |
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FDS4770 | FAIRCHILD |
获取价格 |
40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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