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FDS4675D84Z

更新时间： 2024-02-06 01:35:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	73K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4675D84Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS4675D84Z 数据手册

February 2001

FDS4675

40V P-Channel PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gave drive

voltage ratings (4.5V – 20V).

· –11 A, –40 V

R_DS(ON)= 0.013 W @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 0.017 W @ V_GS= –4.5 V

· Fast switching speed

· High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

· Power management

· Load switch

· High power and current handling capability

· Battery protection

SO-8

Pin 1SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

–40

Units

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–11

–50

2.4 (steady state)

1.4

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.2

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1c)

(Note 1)

62.5 (steady state), 50 (10 sec)

R_qJA

R_qJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

125

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4675

13’’

12mm

2500 units

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS4675 Rev C(W)

12 3 4 5

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与FDS4675D84Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4675-F085	ONSEMI	获取价格	P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V，-11A，13mΩ
FDS4675L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS4675L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS4675S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDS4685	ONSEMI	获取价格	40V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-8.2A，27mΩ
FDS4685	FAIRCHILD	获取价格	40V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4685-NF074	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDS4685-NF074	ONSEMI	获取价格	40V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-8.2A，27mΩ
FDS4770	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4770_04	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench?MOSFET

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