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FDS4559

更新时间： 2023-09-03 20:39:49
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 262K
描述
60V，互补，PowerTrench® MOSFET

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FDS4559 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.22雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4559 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Complementary,  
POWERTRENCH)  
V
I
Max  
R
Max  
DSS  
D
DS(on)  
55 mW @ 10 V  
N−Channel  
4.5 A  
60 V  
75 mW @ 4.5 V  
105 mW @ −10 V  
135 mW @ −4.5 V  
60 V  
P−Channel  
−60 V  
−3.5 A  
FDS4559  
General Description  
This complementary MOSFET device is produced using onsemi’s  
advanced PowerTrench process that has been especially tailored to  
minimize the on−state resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Features  
SOIC8  
CASE 751EB  
• Q1: N−Channel  
♦ 4.5 A, 60 V  
R
DS(on)  
R
DS(on)  
= 55 mΩ @ V = 10 V  
GS  
= 75 mΩ @ V = 4.5 V  
GS  
MARKING DIAGRAM  
• Q2: P−Channel  
♦ −3.5 A, −60 V  
FDS4559  
ALYW  
R
DS(on)  
= 105 mΩ @ V = –10 V  
GS  
R
DS(on)  
= 135 mΩ @ V = –4.5 V  
GS  
Applications  
• DC/DC converter  
• Power management  
• LCD backlight inverter  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
FDS4559 = Specific Device Code  
A
= Assembly Site  
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Q1  
Q2  
−60  
20  
Unit  
V
N−Channel / P−Channel  
V
60  
20  
DSS  
GSS  
Q2  
V
Gate−Source Voltage  
V
5
4
3
2
1
I
D
Drain Current  
Continuous (Note 1a) 4.5  
−3.5  
−20  
A
6
7
8
Pulsed  
Power Dissipation for Dual Operation  
20  
Q1  
P
D
2
W
Power Dissipation  
for Single Operation  
(Note 1a)  
1.6  
1.2  
1
(Note 1b)  
(Note 1c)  
ORDERING INFORMATION  
T ,  
STG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +175  
°C  
J
T
†
Package  
Device  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
SOIC8  
FDS4559  
2500 /  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-  
tions Brochure, BRD8011/D.  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
78  
_C/W  
q
JA  
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
40  
_C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2022  
1
Publication Order Number:  
July 2022 − Rev.4  
FDS4559/D  
1234567...10

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FDS4559 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4559-F085 ONSEMI

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