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FDS4559_NL

更新时间： 2024-01-04 21:08:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8, 8 PIN

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FDS4559_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.22雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4559_NL 数据手册

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April 2002  
FDS4559  
60V Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This complementary MOSFET device is produced using  
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
•
Q1: N-Channel  
4.5 A, 60 V RDS(on) = 55 mΩ @ VGS = 10V  
DS(on) = 75 mΩ @ VGS = 4.5V  
R
•
Q2: P-Channel  
–3.5 A, –60 V RDS(on) = 105 mΩ @ VGS = –10V  
DS(on) = 135 mΩ @ VGS = –4.5V  
Applications  
• DC/DC converter  
R
• Power management  
• LCD backlight inverter  
Q2  
Q1  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
60  
±20  
4.5  
20  
–60  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
–3.5  
–20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4559  
FDS4559  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS4559 Rev C1(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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