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FDS4559L99Z

更新时间： 2024-11-13 21:09:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4559L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.23
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS4559L99Z 数据手册

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October 2000  
FDS4559  
60V Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This complementary MOSFET device is produced using  
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
•
Q1: N-Channel  
4.5 A, 60 V  
RDS(on) = 0.055Ω=@ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.075Ω=@ VGS = 4.5V  
•
Q2: P-Channel  
Applications  
–3.5 A, –60 V  
R
DS(on) = 0.105Ω=@ VGS = –10V  
DS(on) = 0.135Ω=@ VGS = –4.5V  
• DC/DC converter  
R
• Power management  
• LCD backlight inverter  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
60  
±20  
4.5  
20  
–60  
±20  
–3.5  
–20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4559  
FDS4559  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS4559 Rev C(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS4559L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4559S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
FDS4672A FAIRCHILD

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FDS4672A ONSEMI

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FDS4672AL86Z FAIRCHILD

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