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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.29 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167211 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO 8L NB (SOIC) | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:43:26 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS4465 | ONSEMI |
功能相似  |
P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A， |
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| SI4463CDY-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS4465_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, |
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| FDS4465-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A， |
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| FDS4470 | FAIRCHILD |
获取价格 |
40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS4470 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，12.5A，9mΩ |
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| FDS4470_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS4470_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDS4470D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS4470F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS4470L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDS4480 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，10.8A，12mΩ |
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