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FDS4470

更新时间： 2024-11-12 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
40V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS4470 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.32
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A
最大漏极电流 (ID)：12.5 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4470 数据手册

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February 2002  
FDS4470  
40V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
·
·
·
12.5 A, 40 V. RDS(ON) = 9 mW @ VGS = 10 V  
Low gate charge (45 nC)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
·
High power and current handling capability  
·
DC/DC converter  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
SO-8  
S
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
40  
+30/–20  
12.5  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
PD  
W
1.4  
(Note 1c)  
1.2  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4470  
FDS4470  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4470 Rev D (W)  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS4470 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

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与FDS4470相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4470_06 FAIRCHILD

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FDS4470D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDS4470F011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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