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FDS4435L86Z

更新时间： 2024-01-21 01:53:12

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	637K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS4435L86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS4435L86Z 数据手册

June 1999

FDS4435

P-Channel Logic Level PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

-8.8 A, -30 V. R_DS(ON)= 0.020 Ω @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.035 Ω @ V_GS= -4.5 V

Low gate charge (17nC typical).

Fast switching speed.

This device is well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

High power and current handling capability.

DC/DC converter

Load switch

Motor drives

62ꢀꢁ

$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ

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5DWLQJV

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'HYLFHꢀ0DUNLQJ

'HYLFH

5HHOꢀ6L]H

7DSHꢀ:LGWK

4XDQWLW\

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS4435Rev. D

12 3 4 5 6 7 8

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与FDS4435L86Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4448HADW	FS	获取价格	Switching Diode
FDS4448HAQW	FS	获取价格	Switching Diode
FDS4448HCDW	FS	获取价格	Switching Diode
FDS4448HSDW	FS	获取价格	Switching Diode
FDS4448HTW	FS	获取价格	Switching Diode
FDS4465	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDS4465	ONSEMI	获取价格	P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A，
FDS4465_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
FDS4465-F085	ONSEMI	获取价格	P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-13.5A，
FDS4470	FAIRCHILD	获取价格	40V N-Channel PowerTrench MOSFET