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NTTFS5C670NLTWG

更新时间： 2024-11-22 01:13:19
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 86K
描述
Power MOSFET

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NTTFS5C670NLTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：5 weeks
风险等级：5.66JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

NTTFS5C670NLTWG 数据手册

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NTTFS5C670NL  
Power MOSFET  
60 V, 6.5 mW, 70 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
G
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
6.5 mW @ 10 V  
9.1 mW @ 4.5 V  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
60 V  
70 A  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
N−Channel  
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
70  
A
C
D
q
JC  
D (5 − 8)  
T
C
49  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
63  
W
A
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
31  
G (4)  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
16  
q
JA  
T = 100°C  
A
11  
(Notes 1 & 3, 4)  
Steady  
State  
S (1, 2, 3)  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.2  
1.6  
440  
W
D
R
(Notes 1, 3)  
q
JA  
T = 100°C  
A
MARKING DIAGRAM  
1
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
670L  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Source Current (Body Diode)  
I
68  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
166  
mJ  
AS  
670L  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Energy (I  
= 3.6 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
WW  
= Work Week  
G
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.4  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
47  
q
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
March, 2017 − Rev. 1  
NTTFS5C670NL/D  
 
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