是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 4 weeks |
风险等级: | 2.15 | 雪崩能效等级(Eas): | 72 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 51 A | 最大漏极电流 (ID): | 51 A |
最大漏源导通电阻: | 0.012 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 16 pF | JESD-30 代码: | S-PDSO-F |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 38 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTTFS5C471NLTAG | ONSEMI |
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Short Description | |
NTTFS5C478NLTAG | ONSEMI |
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Short Description | |
NTTFS5C658NLTAG | ONSEMI |
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功率 MOSFET,60V,N 沟道,109A,5mΩ,单 u8FL | |
NTTFS5C670NL | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5C670NLTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5C670NLTWG | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5C673NL | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5C673NLTAG | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5C673NLTWG | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NTTFS5CS70NLTAG | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor |