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NTTFS5C453NLTWG

更新时间： 2024-11-19 01:13:19
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安森美 - ONSEMI /
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描述
Power MOSFET

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NTTFS5C453NLTWG 数据手册

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NTTFS5C453NL  
Power MOSFET  
40 V, 3 mW, 107 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3x3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
G
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
3 mW @ 10 V  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
40 V  
J
107 A  
4.8 mW @ 4.5 V  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
D (5)  
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 3)  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
107  
75  
A
C
D
q
JC  
T
C
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
68  
W
A
D
G (4)  
R
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
34  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
23  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
q
JA  
T = 100°C  
A
16  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.3  
1.6  
740  
W
D
R
(Notes 1 & 2)  
q
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
1
S
S
S
D
D
D
D
J
stg  
453L  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Source Current (Body Diode)  
I
S
76  
A
G
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
215  
mJ  
Energy (I  
= 7 A)  
L(pk)  
453L  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.2  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 5 of this data sheet.  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
46  
q
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
February, 2017 − Rev. 1  
NTTFS5C453NL/D  
 
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