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NTTFS5C454NLTAG

更新时间： 2024-11-19 01:13:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 86K
描述
Power MOSFET

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NTTFS5C454NLTAG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.5
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：202 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A
最大漏极电流 (ID)：85 A最大漏源导通电阻：0.006 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS5C454NLTAG 数据手册

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NTTFS5C454NL  
Power MOSFET  
40 V, 3.8 mW, 85 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
G
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
3.8 mW @ 10 V  
6 mW @ 4.5 V  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
40 V  
J
85 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
D (5)  
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 3)  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
85  
A
C
D
q
JC  
T
C
60  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
55  
W
A
D
G (4)  
R
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
27  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
20  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
q
JA  
T = 100°C  
A
14  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.2  
1.6  
520  
W
D
R
(Notes 1 & 2)  
q
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
1
S
S
S
D
D
D
D
J
stg  
454L  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Source Current (Body Diode)  
I
S
61  
A
G
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
202  
mJ  
Energy (I  
= 5 A)  
L(pk)  
454L  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.7  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 5 of this data sheet.  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
47  
q
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
February, 2017 − Rev. 2  
NTTFS5C454NL/D  
 
123456

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