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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS5826NLTAG
NTTFS5826NLTAG PDF预览

NTTFS5826NLTAG

更新时间： 2024-11-21 12:33:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single N−Channel, 8FL

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NTTFS5826NLTAG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：LEAD FREE, CASE 511AB-01, WDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：1.48Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：133 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS5826NLTAG 数据手册

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NTTFS5826NL  
Power MOSFET  
60 V, 24 mW, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Designs  
• Low Q  
to Minimize Switching Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
G(TOT)  
http://onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
Applications  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Motor Drivers  
24 mW @ 10 V  
32 mW @ 4.5 V  
60 V  
20 A  
• DC−DC Converters  
• Synchronous Rectification  
• Power Management  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
20  
V
G
GS  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
A
mb  
D
Y
J−mb  
S
T
mb  
14  
19  
10  
8
(Notes 1, 2, and 3)  
Power Dissipation  
T
mb  
P
W
A
D
R
(Notes 1, 2,  
MARKING DIAGRAM  
Y
J−mb  
T
mb  
= 100°C  
and 3)  
Steady  
State  
1
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Continuous Drain  
T = 25°C  
I
A
D
5826  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
Current R  
& 3)  
(Notes 1  
q
JA  
T = 100°C  
A
6
CASE 511AB  
Power Dissipation  
(Notes 1 & 3)  
T = 25°C  
P
3.1  
1.6  
133  
W
A
D
R
q
JA  
T = 100°C  
A
5826  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
20  
20  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I
= 14.4 A, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
ORDERING INFORMATION  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
†
Device  
Package  
Shipping  
NTTFS5826NLTAG WDFN8 1500/Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Pb−Free)  
NTTFS5826NLTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Mounting Board (top) − Steady  
State (Notes 2, 3)  
R
7.9  
°C/W  
Y
J−mb  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
48  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 2  
NTTFS5826NL/D  
 
123456

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NTTFS5826NLTAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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