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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG PDF预览

NTTFS5116PLTWG

更新时间： 2024-11-18 12:06:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
Power MOSFET 60 V, 20 A, 52m

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NTTFS5116PLTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 511AB-01, WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：906584
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511AB ISSUE D_2
Samacsys Released Date：2019-03-27 20:43:36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：5.7 A
最大漏源导通电阻：0.072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTTFS5116PLTWG 数据手册

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NTTFS5116PL  
Power MOSFET  
−60 V, −20 A, 52 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• Fast Switching  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
Applications  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Load Switches  
• DC Motor Control  
• DC−DC Conversion  
52 mW @ −10 V  
72 mW @ −4.5 V  
−60 V  
−20 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
P−Channel MOSFET  
D (5−8)  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
−60  
20  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
−5.7  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 100°C  
A
−4.0  
3.2  
G (4)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
P
W
A
T = 25°C  
T = 100°C  
A
q
D
JA  
A
1.6  
Steady  
State  
S (1,2,3)  
Continuous Drain  
I
D
T
C
= 25°C  
−20  
−14  
Current R  
(Note 1)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
D
W
1
T
= 25°C  
= 100°C  
40  
20  
C
1
R
S
S
S
G
D
D
D
D
q
JC  
T
C
5116  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
−76  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
+175  
°C  
CASE 511AB  
J
T
Source Current (Body Diode)  
I
−20  
A
S
5116  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Single Pulse Drain−to−Source Ava- L = 0.1 mH  
lanche Energy  
E
AS  
45  
30  
mJ  
A
I
AS  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
NTTFS5116PLTAG  
WDFN8 1500/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
°C/W  
Junction−to−Case – Steady  
State (Note 1)  
R
3.8  
q
JC  
NTTFS5116PLTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction−to−Ambient – Steady  
R
47  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
State (Note 1)  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 1  
NTTFS5116PL/D  
 
123456

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NTTFS5116PLTWG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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