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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG PDF预览

NVTFS5116PLTAG

更新时间： 2024-11-21 10:30:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
Power MOSFET ?60 V, ?14 A, 52 m, Single P?Channel

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NVTFS5116PLTAG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 511AB-01, WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.54
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1122587Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511AB ISSUE D_2Samacsys Released Date：2019-02-27 19:41:26
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：126 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS5116PLTAG 数据手册

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NVTFS5116PL  
Power MOSFET  
−60 V, −14 A, 52 mW, Single P−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
AEC−Q101 Qualified Site and Change Controls  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
52 mW @ −10 V  
72 mW @ −4.5 V  
−60 V  
−14 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−60  
20  
Unit  
V
V
DSS  
P−Channel MOSFET  
D (5−8)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain Cur-  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
−14  
−10  
21  
A
mb  
D
rent R  
(Notes 1,  
Y
J−mb  
T
mb  
2, 3, 4)  
Steady  
State  
G (4)  
Power Dissipation  
T
mb  
P
W
A
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
Y
J−mb  
T
mb  
= 100°C  
10  
S (1,2,3)  
Continuous Drain Cur-  
T = 25°C  
I
D
−6  
A
rent R  
3, 4)  
(Notes 1 &  
q
JA  
T = 100°C  
A
−4  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM  
1
Power Dissipation  
(Notes 1, 3)  
T = 25°C  
P
3.2  
1.6  
−126  
W
A
D
1
R
S
S
S
G
D
D
D
D
q
JA  
T = 100°C  
A
5116  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
5116  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
−17  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
45  
mJ  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I
= 30 A, L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NVTFS5116PLTAG  
WDFN8 1500/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
NVTFS5116PLTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
Junction−to−Mounting Board (top) − Steady  
State (Note 2 and 3)  
R
7.2  
°C/W  
(Pb−Free)  
Y
J−mb  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
47  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 0  
NVTFS5116PL/D  
 
123456

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NVTFS5116PLTAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVTFS5116PLTWG ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET ?60 V, ?14 A, 52 m, Single P?Channel
NVTFS5116PLWFTWG ONSEMI

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NTTFS5116PLTAG ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVTFS5116PLTWG ONSEMI

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 		Power MOSFET ?60 V, ?14 A, 52 m, Single P?Channel
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