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NVTFS5826NLTWG

更新时间： 2024-09-15 12:05:27
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
60 V, 24 m, 20 A, Single N−Channel

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NVTFS5826NLTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 511AB-01, WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：30 weeks风险等级：7.69
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：127 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVTFS5826NLTWG 数据手册

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NVTFS5826NL  
Power MOSFET  
60 V, 24 mW, 20 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFS5826NLWF − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
24 mW @ 10 V  
32 mW @ 4.5 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
60 V  
20 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
N−Channel  
D (5 − 8)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain Cur-  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
20  
A
mb  
D
rent R  
(Notes 1,  
Y
J−mb  
T
mb  
14  
2, 3, 4)  
Steady  
State  
G (4)  
Power Dissipation  
T
mb  
P
22  
W
A
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
Y
J−mb  
T
mb  
= 100°C  
11  
S (1, 2, 3)  
Continuous Drain Cur-  
T = 25°C  
I
D
7.6  
5.4  
3.2  
1.6  
127  
A
MARKING DIAGRAM  
rent R  
3, 4)  
(Notes 1 &  
q
JA  
T = 100°C  
A
Steady  
State  
1
1
Power Dissipation  
(Notes 1, 3)  
T = 25°C  
P
W
A
D
S
S
S
G
D
D
D
D
R
q
XXXX  
AYWWG  
G
JA  
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXX = Specific Device Code  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Source Current (Body Diode)  
I
18  
20  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
= Pb−Free Package  
Energy (T = 25°C, V = 24 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
I
= 20 A, L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Mounting Board (top) − Steady  
State (Note 2 and 3)  
R
6.8  
°C/W  
Y
J−mb  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
47  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 2  
NVTFS5826NL/D  
 
123456

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NVTFS5826NLTWG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDBL86210-F085 ONSEMI

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 		60 V, 24 m, 20 A, Single N−Channel
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