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NVTFS5C478NLWFTAG

更新时间： 2024-11-26 02:52:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 14 m, 26 A

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NVTFS5C478NLWFTAG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：WDFN-8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.49
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1049727Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511AB ISSUE D_1Samacsys Released Date：2018-03-15 16:54:58
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：43 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS5C478NLWFTAG 数据手册

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MOSFET – Power, Single  
N-Channel  
40 V, 14 mW, 26 A  
NVTFS5C478NL  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
www.onsemi.com  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFS5C478NLWF − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
14 mW @ 10 V  
25 mW @ 4.5 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
40 V  
26 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
N−Channel  
D (5 − 8)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
26  
A
C
D
q
JC  
T
C
18  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
Steady  
State  
G (4)  
Power Dissipation  
T
C
P
20  
W
A
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
10  
S (1, 2, 3)  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
10  
q
JA  
T = 100°C  
A
8.0  
3.0  
2.0  
104  
(Notes 1, 3, 4)  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
1
D
R
(Notes 1, 3)  
1
q
JA  
S
S
S
G
D
D
D
D
T = 100°C  
A
XXXX  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXX = Specific Device Code  
Source Current (Body Diode)  
I
15  
43  
A
S
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Energy (I  
= 1.4 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
8.2  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
JC  
R
51  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
September, 2019 − Rev. 2  
NVTFS5C478NL/D  
 
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