5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NVTFS6H850NTAG
NVTFS6H850NTAG PDF预览

NVTFS6H850NTAG

更新时间： 2024-01-07 08:31:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 294K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，80V，68A，9.5mΩ

阅读下载

获取价格

NVTFS6H850NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.57
雪崩能效等级（Eas）：271 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON

NVTFS6H850NTAG 数据手册

 浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NVTFS6H850NTAG的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Power, Single,  
N-Channel  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
80 V  
9.5 mꢃ @ 10 V  
68 A  
80 V, 9.5 mW, 68 A  
N−Channel  
NVTFS6H850N  
D (5 − 8)  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
G (4)  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFS6H850NWF − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
S (1, 2, 3)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
1
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
80  
Unit  
V
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
CASE 511AB  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
Steady  
State  
T
T
= 25°C  
I
D
68  
A
C
ꢀ
JC  
= 100°C  
48  
C
WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P (Full−Cut m8FL WF)  
Power Dissipation  
T
T
= 25°C  
P
107  
53  
W
A
CASE 515AN  
C
D
R
(Notes 1, 2, 3)  
ꢀ
JC  
= 100°C  
C
Continuous Drain  
Current R  
Steady T = 25°C  
I
D
11  
A
State  
ꢀ
JA  
MARKING DIAGRAM  
T = 100°C  
A
8.4  
(Notes 1 & 3, 4)  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Power Dissipation  
T = 25°C  
P
3.2  
1.6  
300  
W
A
D
XXXX  
AYWWG  
G
R
(Notes 1, 3)  
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
+175  
°C  
stg  
XXXX = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
89  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
271  
mJ  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
AS  
Energy (I  
= 3.4 A)  
L(pk)  
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from Case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.4  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
ꢀ
ꢀ
JC  
R
47  
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (ꢂ ) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 3  
NVTFS6H850N/D  
 
12345678

下载PDF

与NVTFS6H850NTAG相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NVTFS6H850NWFTAG ONSEMI 单 N 沟道，功率 MOSFET，80V，68A，9.5mΩ

获取价格
NVTFS6H854NLTAG ONSEMI Single N-Channel Power MOSFET 80V, 48A, 14.5m

获取价格
NVTFS6H854NLWFTAG ONSEMI Single N-Channel Power MOSFET 80V, 48A, 14.5m

获取价格
NVTFS6H854NTAG ONSEMI 单 N 沟道，功率 MOSFET，80V，48A，14.5mΩ

获取价格
NVTFS6H854NWFTAG ONSEMI 单 N 沟道，功率 MOSFET，80V，48A，14.5mΩ

获取价格
NVTFS6H860NL ONSEMI MOSFET - Power, Single N-Channel

获取价格

与NVTFS6H850NTAG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证