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NVTFS5C670NLTAG

更新时间： 2024-11-07 01:11:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 86K
描述
Power MOSFET

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NVTFS5C670NLTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.5
雪崩能效等级（Eas）：166 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：8
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：3.2 W最大功率耗散 (Abs)：63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS5C670NLTAG 数据手册

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NVTFS5C670NL  
Power MOSFET  
60 V, 6.8 mW, 70 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFS5C670NLWF − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
6.8 mW @ 10 V  
10 mW @ 4.5 V  
60 V  
70 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
D (5 − 8)  
Continuous Drain  
Current R  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
70  
A
C
D
q
JC  
T
C
49  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
63  
W
A
D
G (4)  
R
(Notes 1, 2, 3)  
q
JC  
T
C
= 100°C  
31  
S (1, 2, 3)  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
16  
q
JA  
T = 100°C  
A
11  
(Notes 1 & 3, 4)  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.2  
1.6  
440  
W
D
1
R
(Notes 1, 3)  
q
JA  
1
T = 100°C  
A
S
S
S
G
D
D
D
D
XXXX  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXX = Specific Device Code  
Source Current (Body Diode)  
I
68  
A
S
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
166  
mJ  
Energy (I  
= 3.6 A)  
L(pk)  
WW  
= Work Week  
G
= Pb−Free Package  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.4  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
47  
q
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
March, 2017 − Rev. 1  
NVTFS5C670NL/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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