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NVTFS5C658NLTAG

更新时间： 2024-01-18 23:09:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 83K
描述
Power MOSFET

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NVTFS5C658NLTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：WDFN-8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：1.48
Samacsys Description：Power MOSFET 60V, 109A, 5 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level. 1500 / Tape & Reel雪崩能效等级（Eas）：142 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.073 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS5C658NLTAG 数据手册

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NVTFS5C658NL  
Power MOSFET  
60 V, 5.0 mW, 109 A, Single N−Channel  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
www.onsemi.com  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• NVTFS5C658NLWF − Wettable Flanks Product  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
5.0 mW @ 10 V  
7.3 mW @ 4.5 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
60 V  
109 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
N−Channel  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
D (5 − 8)  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain Cur-  
V
20  
V
GS  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
109  
77  
A
C
D
rent R  
3, 4)  
(Notes 1, 2,  
q
JC  
T
C
G (4)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Notes 1, 2, 3)  
T
C
P
114  
57  
W
A
D
R
q
S (1, 2, 3)  
JC  
T
C
= 100°C  
Continuous Drain Cur-  
T = 25°C  
A
I
18  
D
MARKING DIAGRAM  
rent R  
3, 4)  
(Notes 1 &  
q
JA  
T = 100°C  
A
15  
1
Steady  
State  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Power Dissipation  
(Notes 1, 3)  
T = 25°C  
A
P
3.2  
2.2  
440  
W
D
XXXX  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
R
q
JA  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
XXXX = Specific Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
S
127  
142  
A
WW  
= Work Week  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
G
= Pb−Free Package  
Energy (I  
= 5.0 A)  
L(pk)  
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
R
47  
q
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2. Psi (Y) is used as required per JESD51−12 for packages in which  
substantially less than 100% of the heat flows to single case surface.  
2
3. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
4. Continuous DC current rating. Maximum current for pulses as long as 1  
second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
January, 2017 − Rev. 0  
NVTFS5C658NL/D  
 
123456

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