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NVTFS5C658NLTAG

更新时间： 2024-01-09 21:18:36
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安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 83K
描述
Power MOSFET

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NVTFS5C658NLTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：WDFN-8Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：1.48
Samacsys Description：Power MOSFET 60V, 109A, 5 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level. 1500 / Tape & Reel雪崩能效等级（Eas）：142 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.073 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：440 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVTFS5C658NLTAG 数据手册

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NVTFS5C658NL  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
V
= 0 V, I = 250 mA  
60  
V
(BR)DSS  
GS  
D
I
T = 25°C  
J
10  
mA  
DSS  
V
V
= 0 V,  
GS  
DS  
= 60 V  
T = 125°C  
J
250  
100  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
I
V
= 0 V, V = 20 V  
nA  
GSS  
DS  
GS  
V
V
GS  
= V , I = 250 mA  
1.2  
2.2  
5.0  
7.3  
V
GS(TH)  
DS  
D
Drain−to−Source On Resistance  
R
V
= 10 V, I = 50 A  
4.2  
5.8  
mW  
DS(on)  
GS  
GS  
D
V
= 4.5 V, I = 50 A  
D
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
g
V
= 15 V, I = 50 A  
100  
S
FS  
DS  
D
C
V
GS  
= 0 V, f = 1.0 MHz,  
1935  
890  
16  
pF  
iss  
V
DS  
= 25 V  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
C
rss  
Q
Q
12  
nC  
nC  
G(TOT)  
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Total Gate Charge  
Q
3.5  
7
G(TH)  
V
= 4.5 V, V = 48 V, I = 50 A  
DS D  
GS  
Q
GS  
Q
2.4  
27  
GD  
V
= 10 V, V = 48 V, I = 50 A  
nC  
ns  
G(TOT)  
GS  
DS  
D
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
t
16  
96  
d(on)  
t
r
V
= 4.5 V, V = 48 V,  
DS  
GS  
I
D
= 50 A  
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
36  
d(off)  
t
f
105  
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
V
I
= 0 V,  
= 50 A  
T = 25°C  
0.9  
0.8  
39  
21  
18  
15  
1.2  
V
SD  
GS  
S
J
T = 125°C  
J
Reverse Recovery Time  
Charge Time  
t
ns  
RR  
t
t
a
V
GS  
= 0 V, dl /dt = 100 A/ms,  
S
I
S
= 50 A  
Discharge Time  
b
Reverse Recovery Charge  
Q
nC  
RR  
5. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.  
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.  
www.onsemi.com  
2
 
123456

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