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NTTFS4H05NTAG

更新时间： 2024-11-19 01:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 93K
描述
Power MOSFET Single N−Channel

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NTTFS4H05NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 511AB, WDFN8, MICRO-8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.29
雪崩能效等级（Eas）：84 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：94 A最大漏极电流 (ID)：22.4 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：46.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：304 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4H05NTAG 数据手册

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NTTFS4H05N  
Power MOSFET  
25 V, 94 A, Single N−Channel, m8−FL  
Features  
• Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses  
• Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances  
• Optimized material for improved thermal performance  
www.onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Applications  
V
GS  
MAX R  
TYP Q  
GTOT  
DS(on)  
• High Performance DC-DC Converters  
• System Voltage Rails  
• Netcom, Telecom  
4.5 V  
10 V  
4.8 mW  
8.7 nC  
18.9 nC  
3.3 mW  
• Servers & Point of Load  
PIN CONNECTIONS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
m8−FL (3.3 x 3.3 mm)  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Units  
V
DSS  
V
V
A
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
20  
Continuous Drain Current R  
(T = 25°C, Note 1)  
A
I
D
22.4  
q
JA  
JC  
(Top View)  
(Bottom View)  
Power Dissipation R  
P
D
2.66  
94  
W
A
q
JA  
(T = 25°C, Note 1)  
A
Continuous Drain Current R  
I
D
q
(T = 25°C, Note 1)  
C
N−CHANNEL MOSFET  
Power Dissipation R  
(T = 25°C, Note 1)  
C
P
D
46.3  
W
q
JC  
D (5−8)  
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
I
304  
84  
A
p
DM  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche  
Energy (Note 1)  
E
mJ  
AS  
G (4)  
(I = 41 A , L = 0.1 mH) (Note 3)  
L
pk  
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
7
V/ns  
°C  
S (1,2,3)  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
150  
J(max)  
T
STG  
−55 to  
150  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
Lead Temperature Soldering Reflow (SMD  
Styles Only), Pb-Free Versions (Note 2)  
T
SLD  
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
2
2
1. Values based on copper area of 645 mm (or 1 in ) of 2 oz copper thickness  
and FR4 PCB substrate.  
2. For more information, please refer to our Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
3. This is the absolute maximum rating. Parts are 100% UIS tested at T = 25°C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 27 A, E = 36 mJ.  
L AS  
THERMALCHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Max  
Units  
Thermal Resistance,  
Junction-to-Ambient (Note 1 and 4)  
Junction-to-Case (Note 1 and 4)  
°C/W  
R
47  
2.7  
q
JA  
JC  
R
q
4. Thermal Resistance R  
and R  
as defined in JESD51−3.  
JC  
q
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July, 2015 − Rev. 3  
NTTFS4H05N/D  
 
1234567

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NTTFS4H05NTAG 替代型号

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