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NTTFS4C13NTWG

更新时间： 2024-11-21 01:13:19
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安森美 - ONSEMI /
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Power MOSFET

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NTTFS4C13N  
Power MOSFET  
30 V, 38 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
9.4 mW @ 10 V  
14 mW @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
30 V  
38 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D (5−8)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
V
GS  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
I
D
11.7  
A
G (4)  
q
JA  
T = 80°C  
A
8.5  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
2.06  
W
A
D
D
D
D
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
R
q
JA  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
I
15.8  
11.4  
3.73  
D
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
T = 80°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
1
1
R
q
JA  
S
S
S
G
D
D
D
D
Steady  
State  
4C13  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
7.2  
5.2  
D
q
JA  
T = 80°C  
A
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.78  
W
A
R
q
JA  
4C13  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
=80°C  
= 25°C  
38  
27  
C
D
q
JC  
T
C
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
T
C
P
21.5  
W
A
R
q
JC  
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulsed Drain  
Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
A
I
DM  
68  
p
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
70  
A
Dmax  
ORDERING INFORMATION  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
†
Device  
Package  
Shipping  
T
STG  
NTTFS4C13NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source DV/DT  
I
19  
7.0  
22  
A
S
dV/d  
V/ns  
mJ  
t
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
NTTFS4C13NTWG  
WDFN8  
5000 /  
Energy (T = 25°C, V = 10 V, I = 4 A ,  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
J
GS  
L
pk  
L = 0.1 mH, R = 25 W) (Note 3)  
GS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
T
260  
°C  
L
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is absolute maximum rating. Parts are tested at T = 25°C V = 10 V,  
J
qs  
I = 15 Apk, E = 11 mJ.  
L
AS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
June, 2014 − Rev. 1  
NTTFS4C13N/D  
 
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