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NTTFS4C13NTAG

更新时间： 2024-11-21 01:13:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
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7页 88K
描述
Power MOSFET

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NTTFS4C13NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：WDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：1.66外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏极电流 (ID)：7.2 A
最大漏源导通电阻：0.0094 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：21.5 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTTFS4C13NTAG 数据手册

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NTTFS4C13N  
Power MOSFET  
30 V, 38 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
9.4 mW @ 10 V  
14 mW @ 4.5 V  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
30 V  
38 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
D (5−8)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
V
GS  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
I
D
11.7  
A
G (4)  
q
JA  
T = 80°C  
A
8.5  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
2.06  
W
A
D
D
D
D
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
R
q
JA  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
I
15.8  
11.4  
3.73  
D
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
T = 80°C  
A
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
1
1
R
q
JA  
S
S
S
G
D
D
D
D
Steady  
State  
4C13  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
7.2  
5.2  
D
q
JA  
T = 80°C  
A
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.78  
W
A
R
q
JA  
4C13  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
=80°C  
= 25°C  
38  
27  
C
D
q
JC  
T
C
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
T
C
P
21.5  
W
A
R
q
JC  
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulsed Drain  
Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
A
I
DM  
68  
p
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
70  
A
Dmax  
ORDERING INFORMATION  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
†
Device  
Package  
Shipping  
T
STG  
NTTFS4C13NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 /  
Tape & Reel  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source DV/DT  
I
19  
7.0  
22  
A
S
dV/d  
V/ns  
mJ  
t
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
NTTFS4C13NTWG  
WDFN8  
5000 /  
Energy (T = 25°C, V = 10 V, I = 4 A ,  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
J
GS  
L
pk  
L = 0.1 mH, R = 25 W) (Note 3)  
GS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
T
260  
°C  
L
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is absolute maximum rating. Parts are tested at T = 25°C V = 10 V,  
J
qs  
I = 15 Apk, E = 11 mJ.  
L
AS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
June, 2014 − Rev. 1  
NTTFS4C13N/D  
 
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