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NTTFS4C02NTAG PDF预览

NTTFS4C02NTAG

更新时间： 2024-11-19 11:16:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 211K
描述
单 N 沟道功率 MOSFET 30V，170A，2.25mΩ

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NTTFS4C02NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.53
JESD-609代码：e3峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NTTFS4C02NTAG 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Power, Single,  
N-Channel, m8FL  
30 V, 164 A  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
2.25 mW @ 10 V  
3.1 mW @ 4.5 V  
30 V  
164 A  
NTTFS4C02N  
Features  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
G (4)  
Compliant  
Applications  
DC−DC Converters  
S (1,2,3)  
Power Load Switch  
Notebook Battery Management  
MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise stated)  
MARKING DIAGRAM  
1
1
J
S
S
S
G
D
D
D
D
4C02  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
30  
20  
25  
V
V
A
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25C  
A
4C02  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85C  
A
21  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25C  
A
P
2.5  
W
A
q
D
JA  
Continuous Drain  
I
D
T = 25C  
A
35  
27  
5
(Note: Microdot may be in either location)  
Current R  
(Note 1)  
10 s  
q
JA  
T = 85C  
A
Power Dissipation  
10 s (Note 1)  
T = 25C  
A
P
I
W
A
D
D
D
ORDERING INFORMATION  
R
Steady  
State  
q
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25C  
A
15  
12  
1
D
q
JA  
T = 85C  
A
NTTFS4C02NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25C  
A
P
I
W
A
R
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25C  
= 85C  
= 25C  
164  
127  
107  
D
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
Pulsed Drain Current  
T = 25C, t = 10 ms  
I
DM  
663  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
+175  
C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
I
97  
6.0  
162  
A
S
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
(I = 37 A ) (Note 3)  
L
pk  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8from case for 10 s)  
T
L
260  
C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is the absolute maximum ratings. Parts are 100% tested at T = 25C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 36 A, E = 65 mJ.  
L AS  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
November, 2022 − Rev. 8  
NTTFS4C02N/D  
 
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTTFS4C05N ONSEMI

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