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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTTFS4C05NTAG
NTTFS4C05NTAG PDF预览

NTTFS4C05NTAG

更新时间： 2024-11-18 12:19:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel,8FL

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NTTFS4C05NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：WDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.49Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：33 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4C05NTAG 数据手册

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NTTFS4C05N  
Power MOSFET  
30 V, 75 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
3.6 mW @ 10 V  
5.1 mW @ 4.5 V  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
30 V  
75 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
19.4  
14.5  
2.16  
A
Current R  
(Note 1)  
G (4)  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
D
W
A
q
JA  
S (1,2,3)  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
28  
21  
A
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
T = 85°C  
A
1
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
P
I
4.5  
W
A
1
A
D
D
D
S
S
S
G
D
D
D
D
R
Steady  
State  
q
JA  
4C05  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
12.0  
8.9  
D
CASE 511AB  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.82  
W
A
4C05  
A
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
75  
56  
33  
D
Y
q
JC  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
(Note: Microdot may be in either location)  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
174  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
+150  
°C  
J
ORDERING INFORMATION  
T
†
Device  
Package  
Shipping  
Source Current (Body Diode)  
I
30  
6.0  
84  
A
S
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
NTTFS4C05NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V, I = 41 A ,  
J
DD  
GS  
L
pk  
NTTFS4C05NTWG WDFN8  
5000 / Tape &  
Reel  
L = 0.1 mH, R = 25 W) (Note 3)  
G
(Pb−Free)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is the absolute maximum ratings. Parts are 100% tested at T = 25°C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 29 A, E = 42 mJ.  
L AS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
December, 2012 − Rev. 1  
NTTFS4C05N/D  
 
1234567

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NTTFS4C05NTAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTTFS4C05NTWG ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel,8
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