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NTTFS4C08NTAG

更新时间： 2024-11-21 01:23:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 87K
描述
Power MOSFET

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NTTFS4C08NTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.51
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

NTTFS4C08NTAG 数据手册

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NTTFS4C08N  
Power MOSFET  
30 V, 52 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
www.onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
5.9 mW @ 10 V  
9.0 mW @ 4.5 V  
Applications  
30 V  
52 A  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
30  
20  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain  
V
V
A
GS  
G (4)  
I
D
T = 25°C  
15  
A
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
10.8  
2.13  
S (1,2,3)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
q
D
JA  
MARKING DIAGRAM  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
21  
15  
1
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
1
S
S
S
G
D
D
D
D
T = 85°C  
A
4C08  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
P
I
4.2  
W
A
A
D
D
D
R
Steady  
State  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
9.3  
6.7  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
4C08  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.82  
W
A
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
52  
D
q
JC  
37.5  
25.5  
(Note: Microdot may be in either location)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
144  
A
A
p
ORDERING INFORMATION  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
T
stg  
−55 to  
+150  
°C  
†
J
Device  
Package  
Shipping  
NTTFS4C08NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
23  
6.0  
42  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
(T = 25°C, V = 10 V, I = 29 A , L = 0.1 mH,  
J
GS  
L
pk  
R
G
= 25 W) (Note 3)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is the absolute maximum ratings. Parts are 100% tested at T = 25°C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 21 A, E = 22 mJ.  
L AS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
April, 2015 − Rev. 2  
NTTFS4C08N/D  
 
1234567

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