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NTTFS4C10NTWG

更新时间： 2024-11-19 01:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 119K
描述
Power MOSFET Dual N−Channel

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NTTFS4C10NTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：2.24
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：23.6 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

NTTFS4C10NTWG 数据手册

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NTTFS4C10N  
Power MOSFET  
30 V, 44 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
7.4 mW @ 10 V  
11 mW @ 4.5 V  
30 V  
44 A  
• DC−DC Converters  
• Power Load Switch  
• Notebook Battery Management  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
13.3  
9.9  
A
G (4)  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 80°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
P
2.09  
W
A
q
JA  
A
D
S (1,2,3)  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
18.2  
13.6  
3.9  
MARKING DIAGRAM  
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
T = 80°C  
A
1
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
D
D
4C10  
AYWWG  
G
WDFN8  
(m8FL)  
CASE 511AB  
R
q
JA  
Steady  
State  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T = 25°C  
A
8.2  
6.1  
D
q
JA  
T = 80°C  
A
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.79  
W
A
4C10  
A
Y
WW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
T
T
= 25°C  
= 80°C  
= 25°C  
44  
33  
D
C
C
C
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
23.6  
W
(Note: Microdot may be in either location)  
R
q
JC  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
128  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
°C  
ORDERING INFORMATION  
J
T
+150  
†
Device  
Package  
Shipping  
Source Current (Body Diode)  
I
S
20  
6.0  
31  
A
NTTFS4C10NTAG  
WDFN8  
(Pb−Free)  
1500 / Tape &  
Reel  
Drain to Source dV/dt  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
NTTFS4C10NTWG WDFN8  
5000 / Tape &  
Reel  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V, I = 25 A ,  
J
DD  
G
GS  
L
pk  
(Pb−Free)  
L = 0.1 mH, R = 25 W) (Note 3)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
3. This is the absolute maximum ratings. Parts are 100% tested at T = 25°C,  
J
V
GS  
= 10 V, I = 17 A, E = 14 mJ.  
L AS  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 2  
NTTFS4C10N/D  
 
1234567

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