5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTMFS4985NFT1G
NTMFS4985NFT1G PDF预览

NTMFS4985NFT1G

更新时间： 2024-11-20 12:49:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 120K
描述
Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel, SO−8 FL

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTMFS4985NFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：1.48雪崩能效等级（Eas）：54 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 A
最大漏极电流 (ID)：17.5 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：22.73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：195 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTMFS4985NFT1G 数据手册

 浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTMFS4985NFT1G的Datasheet PDF文件第7页 
NTMFS4985NF  
Power MOSFET  
30 V, 65 A, Single N−Channel, SO−8 FL  
Features  
• Integrated Schottky Diode  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
DS(ON)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
3.4 mW @ 10 V  
5.0 mW @ 4.5 V  
Applications  
• CPU Power Delivery  
30 V  
65 A  
• Synchronous Rectification for DC−DC Converters  
• Low Side Switching  
N−CHANNEL MOSFET  
• Telecom Secondary Side Rectification  
(5, 6)  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
G
V
DSS  
V
20  
V
GS  
(4)  
Continuous Drain  
Current R  
I
D
A
T = 25°C  
23.9  
A
q
JA  
(1, 2, 3)  
S
T = 85°C  
A
17.2  
3.04  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
A
D
D
D
D
MARKING  
DIAGRAM  
R
q
JA  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
36  
26  
Current R  
10 sec  
v
D
q
JA  
T = 85°C  
A
S
S
S
G
D
D
1
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
I
7.0  
W
A
4985NF  
AYWZZ  
R
t v 10 sec  
q
JA,  
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Steady  
State  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
17.5  
12.6  
1.63  
D
Current R  
(Note 2)  
q
D
JA  
T = 85°C  
A
4895NF = Specific Device Code  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
65  
47  
D
q
JC  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
22.73  
W
A
R
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
195  
100  
†
Device  
Package  
Shipping  
Current limited by package  
T = 25°C  
A
I
A
Dmaxpkg  
NTMFS4985NFT1G  
SO−8FL  
(Pb−Free)  
1500 /  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
Tape & Reel  
T
STG  
NTMFS4985NFT3G  
SO−8FL  
(Pb−Free)  
5000 /  
Tape & Reel  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
64  
6
A
S
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, I = 33 A ,  
pk  
54  
DD  
GS  
L
L = 0.1 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*For additional information on our Pb−Free strategy  
and soldering details, please download the ON  
Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
July, 2012 − Rev. 2  
NTMFS4985NF/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

NTMFS4985NFT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMFS4985NFT3G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
BSZ0904NSIATMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ0904NSI INFINEON

功能相似

 n-Channel Power MOSFET

与NTMFS4985NFT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMFS4985NFT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
NTMFS4C01N ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor
NTMFS4C01NT1G ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor
NTMFS4C01NT3G ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor
NTMFS4C020N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTMFS4C020NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTMFS4C020NT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTMFS4C022N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTMFS4C022NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NTMFS4C022NT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET

与NTMFS4985NFT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证