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BSZ0904NSIATMA1

更新时间： 2024-10-02 19:52:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	618K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ0904NSIATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks 5 days
风险等级：	1.65	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSZ0904NSIATMA1 数据手册

BSZ0904NSI

OptiMOS^TMPower-MOSFET

Product Summary

Features

V_DS

4.0

• Optimized SyncFET for high performance buck converter

• Integrated monolithic Schottky-like diode

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• 100% avalanche tested

R_DS(on),max

I_D

Q_OSS

Q_G(0V..10V)

• Superior thermal resistance

PG-TSDSON-8 (fused leads)

• N-channel

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Marking

Package

BSZ0904NSI

PG-TSDSON-8 (fused leads)

0904NSI

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

V _GS=10 V, T _C=100 °C

V _GS=4.5 V, T _C=25 °C

V _GS=4.5 V,

T _C=100 °C

V _GS=10 V, T _A=25 °C,

R _thJA=60 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

160

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=20 A, R _GS=25 W

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

Rev. 2.2

page 1

2013-05-13

12 3 4 5 6 7...9

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BSZ0904NSIATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSB053N03LPG	INFINEON	类似代替	OptiMOS2 Power-MOSFET
BSZ0904NSI	INFINEON	功能相似	n-Channel Power MOSFET
FDMS8672S	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 35A, 5mohm

与BSZ0904NSIATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ0905PNS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
BSZ0909LS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
BSZ0909NDXTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ0909NS	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSZ0909NSXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
BSZ096N10LS5	INFINEON	获取价格	英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应
BSZ097N04LS G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSZ097N04LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ097N04LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ097N04LSGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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