是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ0909NDXTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ0909NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET | |
BSZ0909NSXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSZ096N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSZ097N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
BSZ097N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ097N04LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ097N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET | |
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |