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BSZ0909LS

更新时间: 2024-11-24 21:22:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 954K
描述
Power Field-Effect Transistor,

BSZ0909LS 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownBase Number Matches:1

BSZ0909LS 数据手册

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BSZ0909LS  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV  
TSDSON-8ꢀFL  
(enlarged source interconnection)  
Features  
•ꢀOptimizedꢀforꢀchargersꢀandꢀadaptersꢀ(e.g.ꢀUSB-PD,ꢀwirelessꢀchargingꢀ)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)ꢀ@ꢀVGS=4.5ꢀV  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀN-channel  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
S 1  
S 2  
S 3  
G 4  
8 D  
7 D  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
6 D  
5 D  
VDS  
30  
V
RDS(on),max,ꢀVGS=10V  
3.0  
m  
mΩ  
A
RDS(on),max,ꢀVGS=4.5V 3.5  
ID  
40  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TSDSON-8 FL  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSZ0909LS  
0909LS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-05-11  

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