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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 19 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 32 pF |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ105N04NS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSZ105N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ110N06NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSZ110N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ110N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ120P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSZ120P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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