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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TSDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 9 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ130N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSZ130N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSZ146N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ150N10LS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSZ15DC02KD H | INFINEON |
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互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - |
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| BSZ160N10N3SG | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor |
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| BSZ160N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSZ160N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ165N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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