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BSZ120P03NS3G

更新时间： 2024-11-05 09:00:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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9页	615K
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor

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BSZ120P03NS3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	73 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-F5
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	52 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSZ120P03NS3G 数据手册

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BSZ120P03NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFHM9391TRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSC200P03LSG	INFINEON	功能相似	OptiMOS™-P Power-Transistor

与BSZ120P03NS3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ123N08NS3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
BSZ123N08NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ123N08NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ12DN20NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
BSZ12DN20NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ12DN20NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSZ130N03LS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSZ130N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSZ130N03MS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSZ130N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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