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BSZ120P03NS3G

更新时间: 2024-11-20 09:00:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 615K
描述
OptiMOSTM P3 Power-Transistor

BSZ120P03NS3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.69雪崩能效等级(Eas):73 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):11 A最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-PDSO-F5
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):52 W最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSZ120P03NS3G 数据手册

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