5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0123 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ12DN20NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
|
| BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
|
| BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| BSZ130N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
|
| BSZ130N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
|
| BSZ130N03MS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
|
| BSZ130N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
|
| BSZ146N10LS5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
|
| BSZ150N10LS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
|
| BSZ15DC02KD H | INFINEON |
获取价格 |
互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
