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BSZ160N10NS3G

更新时间： 2024-09-19 06:44:27
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 249K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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BSZ160N10NS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.64雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ160N10NS3G 数据手册

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BSZ160N10NS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
16  
V
• Ideal for high frequency switching  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
40  
PG-TSDSON-8  
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ160N10NS3 G  
PG-TSDSON-8  
160N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
28  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
8
thJA=60 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
160  
80  
Avalanche energy, single pulse4)  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 1.2  
page 1  
2009-11-12  
1234567...9

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BSZ160N10NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ900N15NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOSTM3 Power-Transistor
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完全替代

 OptiMOSTM3 Power-Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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