是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 1.65 | 雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 11.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.125 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 45 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ130N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成 | |
BSZ130N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET | |
BSZ130N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成 | |
BSZ130N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSZ146N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSZ150N10LS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSZ15DC02KD H | INFINEON |
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互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - | |
BSZ160N10N3SG | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor | |
BSZ160N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSZ160N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |