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BSZ12DN20NS3GATMA1

更新时间: 2024-11-24 21:21:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 521K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

BSZ12DN20NS3GATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.65雪崩能效等级(Eas):60 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):11.3 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-N5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSZ12DN20NS3GATMA1 数据手册

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BSZ12DN20NS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
200  
125  
11.3  
V
• Optimized for dc-dc conversion  
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Low on-resistance R DS(on)  
PG-TSDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ12DN20NS3 G  
PG-TSDSON-8  
12DN20N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
11.3  
8.0  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
45  
I D=5.7 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
kV/µs  
V
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
V GS  
10  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
50  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
Rev. 2.2  
page 1  
2011-07-14  

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