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BSZ130N03MSG

更新时间： 2024-01-09 17:18:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	329K
描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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BSZ130N03MSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	9 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BSZ130N03MSG 数据手册

BSZ130N03MS G

Product Summary

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

Features

V _DS

11.5

• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)

R _DS(on),max

_GS=10 V

_GS=4.5 V

mΩ

• Low FOM_SWfor High Frequency SMPS

• 100% avalanche tested

I _D

PG-TSDSON-8

• N-channel

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Superior thermal resistance

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSZ130N03MS G

PG-TSDSON-8

130N03M

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _A=25 °C,

_thJA=60 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

140

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=20 A, R _GS=25 Ω

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.0

page 1

2010-03-23

12 3 4 5 6 7...9

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