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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ150N10LS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSZ15DC02KD H | INFINEON |
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互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - |
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| BSZ160N10N3SG | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor |
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| BSZ160N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSZ160N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ165N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ16DN25NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| BSZ16DN25NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ16DN25NS3G_11 | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
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